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TSF10H60C

Trench Schottky Rectifier

文件:215.82 Kbytes 页数:5 Pages

TSC

台湾半导体

TSF10L100CW

10A, 100V - 200V Trench Schottky Rectifiers

文件:247.12 Kbytes 页数:5 Pages

TSC

台湾半导体

TSF10L200CW

10A, 100V - 200V Trench Schottky Rectifiers

文件:247.12 Kbytes 页数:5 Pages

TSC

台湾半导体

TSF10N60C

10.3A,600V Insulated N-Channel Type Power MOSFET

文件:1.24445 Mbytes 页数:7 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

TSF10N65M

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10923 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSF10N65M

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.30874 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

TSF10N70C

10A,700V Insulated N-Channel Type Power MOSFET

文件:1.11797 Mbytes 页数:4 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

TSF10U60C

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:181.56 Kbytes 页数:3 Pages

TSC

台湾半导体

TSF10U60C

Trench Schottky Rectifier

文件:204.84 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

TSF10U60C_14

Trench Schottky Rectifier

文件:204.84 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • VRRM(V):

    50-600V

  • VF(Vmin):

    0.95

  • Trr(min):

    35

  • 封装:

    TO-220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TSF10供应商 更新时间2025-10-4 16:50:00