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丝印:33KF;Package:SOT;TSDxxC Bidirectional TVS Diodes in SOD-323 Package 1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV contact discharge – ±30kV air gap discharge • IEC 61000-4-5 surge protection: – 6.5-30A (8/20μs) • Low IO capacitance 文件:675.89 Kbytes 页数:12 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
丝印:33KF;Package:SOT;TSD05C 5-V Bidirectional TVS Diode in SOD-323 Package 1 Features • IEC 61000-4-2 level 4 ESD protection: – ±30 kV contact discharge – ±30 kV air gap discharge • IEC 61000-4-5 surge protection: – 30 A (8/20 μs) – Low clamping voltage: 14 V at 30 A (8/20 μs) • Low IO capacitance: – 4 pF (typical) • DC breakdown voltage: ±8 V (typical) • Ultra 文件:878.48 Kbytes 页数:15 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
丝印:33KF;Package:SOT;TSDxxC Bidirectional TVS Diodes in SOD-323 Package 1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV contact discharge – ±30kV air gap discharge • IEC 61000-4-5 surge protection: – 6.5-30A (8/20μs) • Low IO capacitance 文件:921.24 Kbytes 页数:22 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
TSD05C | 5.5V 30A 双向浪涌保护器件 TSD05C 是一款双向 TVS 保护二极管,专为钳制 ESD 和浪涌等有害瞬变而设计。 TSD05C 的额定 ESD 冲击消散值高达 ±30kV(接触放电和空气间隙放电),并且符合 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别(4 级)。对于浪涌,根据 IEC 61000-4-5 标准,该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 30A 的 8/20µs 浪涌。\n\n该器件还具有 4pF(典型值)IO 电容,因此能够保护高速数据线路。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。\n\n TSD05C 结合了该器件的强大钳位性能和低电容,是一款出色的 TVS 二极管,可在许多不同应用中 • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护: \n• ±30kV 空气间隙放电\n• IEC 61000-4-5 浪涌保护: \n• 低钳位电压:30A 时为 14V (8/20µs)\n• 低 IO 电容: \n• 直流击穿电压:±7 V(典型值)\n• 低 ESD 钳位电压:16A TLP 时为 9.3 V\n• 业界通用 SOD-323 引线式封装 (2.5mm × 1.2mm); | TI 德州仪器 | TI |
技术参数
- Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W):
400
- IEC 61000-4-5 (A):
30
- Vrwm (V):
5.5
- Breakdown voltage (min) (V):
7
- Bi-/uni-directional:
Bi-directional
- Number of channels:
1
- IO capacitance (typ) (pF):
4
- Clamping voltage (V):
11.5
- 封装:
SOT (DYF)
- 引脚:
2
- 尺寸:
3.445 mm² 2.65 x 1.3
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