丝印：33KF；Package：SOT；TSD05C 5-V Bidirectional TVS Diode in SOD-323 Package

1 Features • IEC 61000-4-2 level 4 ESD protection: – ±30 kV contact discharge – ±30 kV air gap discharge • IEC 61000-4-5 surge protection: – 30 A (8/20 μs) – Low clamping voltage: 14 V at 30 A (8/20 μs) • Low IO capacitance: – 4 pF (typical) • DC breakdown voltage: ±8 V (typical) • Ultra

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丝印：33KF；Package：SOT；TSDxxC Bidirectional TVS Diodes in SOD-323 Package

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV contact discharge – ±30kV air gap discharge • IEC 61000-4-5 surge protection: – 6.5-30A (8/20μs) • Low IO capacitance

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丝印：33KF；Package：SOT；TSDxxC Bidirectional TVS Diodes in SOD-323 Package

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV contact discharge – ±30kV air gap discharge • IEC 61000-4-5 surge protection: – 6.5-30A (8/20μs) • Low IO capacitance

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丝印：33KF；Package：SOT；TSDxxC Bidirectional TVS Diodes in SOD-323 Package

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV contact discharge – ±30kV air gap discharge • IEC 61000-4-5 surge protection: – 6.5-30A (8/20μs) • Low IO capacitance

文件：921.24 Kbytes 页数：22 Pages

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丝印：33MF；Package：SOT；TSDxx Unidirectional TVS Diodes in SOD-323

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV contact discharge – ±30kV air gap discharge • IEC 61000-4-5 surge protection: – 25-60A (8/20μs) • IO capacitance

文件：949.14 Kbytes 页数：17 Pages

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丝印：33MF；Package：SOT；TSD05 5-V Unidirectional TVS Diode in SOD-323

1 Features • IEC 61000-4-2 level 4 ESD protection: – ±30 kV contact discharge – ±30 kV air gap discharge • IEC 61000-4-5 surge protection: – 60 A (8/20 μs) – Low clamping voltage: 9 V at 60 A (8/20 μs) • IO capacitance: – 19 pF (typical) • DC breakdown voltage: 7 V (typical) • Ultra low

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SMD POWER INDUCTOR-RoHS

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SMD POWER INDUCTOR-RoHS

文件：299.72 Kbytes 页数：4 Pages

FENGJUI

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5-V 60-A Unidirectional surge protection device

TSD05 是一款单向 TVS 保护二极管，专为钳制 ESD 和浪涌等有害瞬变而设计。 TSD05 的额定 ESD 冲击消散值高达 ±30kV（接触放电和空气间隙放电），并且满足 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别（4 级）。对于浪涌，根据 IEC 61000-4-5 标准，该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 60A 的 8/20µs 浪涌。\n\n该器件还具有 19pF（典型值）IO 电容，因此能够保护数据线路。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。\n\n TSD05 结合了该器件的强大钳位性能和低电容，是一款出色的 TVS 二极管，可在许多不同应用中保护数据 • IEC 61000-4-2 level 4 ESD protection: \n• ±30 kV air gap discharge\n• IEC 61000-4-5 surge protection: \n• Low clamping voltage: 9 V at 60 A (8/20 µs)\n• IO capacitance: \n• DC breakdown voltage: 7 V (typical)\n• Low ESD clamping voltage: 7.5 V at 16 A TLP\n• Industry standard SOD-323 leaded packag;

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5.5V 30A 双向浪涌保护器件

TSD05C 是一款双向 TVS 保护二极管，专为钳制 ESD 和浪涌等有害瞬变而设计。 TSD05C 的额定 ESD 冲击消散值高达 ±30kV（接触放电和空气间隙放电），并且符合 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别（4 级）。对于浪涌，根据 IEC 61000-4-5 标准，该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 30A 的 8/20µs 浪涌。\n\n该器件还具有 4pF（典型值）IO 电容，因此能够保护高速数据线路。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。\n\n TSD05C 结合了该器件的强大钳位性能和低电容，是一款出色的 TVS 二极管，可在许多不同应用中 • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护： \n• ±30kV 空气间隙放电\n• IEC 61000-4-5 浪涌保护： \n• 低钳位电压：30A 时为 14V (8/20µs)\n• 低 IO 电容： \n• 直流击穿电压：±7 V（典型值）\n• 低 ESD 钳位电压：16A TLP 时为 9.3 V\n• 业界通用 SOD-323 引线式封装 (2.5mm × 1.2mm);

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