TSC873CW中文资料SOT-223, 600V, 1A, NPN Bipolar Transistor数据手册TSC规格书

| 厂商型号 |
TSC873CW |
| 参数属性 | TSC873CW 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A SOT223 |
| 功能描述 | SOT-223, 600V, 1A, NPN Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 制造商 | TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
| 中文名称 | 台湾半导体 台湾半导体股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 17:32:00 |
| 人工找货 | TSC873CW价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
TSC873CW规格书详情
简介
TSC873CW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由TSC制造生产的TSC873CW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:TSC873CW
- 生产厂家
:TSC
- Polarity
:NPN
- Status
:Active
- AEC-Q
:No
- TJ Max. (°C)
:150
- IC (A)
:1
- VCEO (V)
:400
- VCBO (V)
:600
- DC Current Gain hFE Min.
:80
- DC Current Gain hFE Max.
:-
- PD (W)
:-
- MSL
:3
- VCE Sat. (V)
:0.5
- VEBO (V)
:9
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