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TSC5304EDCHC5G	文件：271.45 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSC5304EDCHC5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 4A TO251	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
TSC5304EDCHC5	文件：228.25 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageNPNTransistorwithDiode Features ●Build-inFree-wheelingDiodeMakesEfficientAnti-saturationOperation ●NoNeedtoInterestanhfeValueBecauseofLowVariableStorage-timeSpreadEvenThoughComerSpiritProduct. ●LowBaseDriveRequirement ●SuitableforHalfBridgeLightBallastApplication Structure ●Sil	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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TSC5304EDCHC5G

文件：271.45 Kbytes

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High Voltage NPN Transistor with Diode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC

TSC5304EDCHC5G

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 4A TO251

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5304EDCHC5

文件：228.25 Kbytes

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HighVoltageNPNTransistorwithDiode

Features ●Build-inFree-wheelingDiodeMakesEfficientAnti-saturationOperation ●NoNeedtoInterestanhfeValueBecauseofLowVariableStorage-timeSpreadEvenThoughComerSpiritProduct. ●LowBaseDriveRequirement ●SuitableforHalfBridgeLightBallastApplication Structure ●Sil

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC

产品属性

产品编号：
TSC5304EDCHC5G
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500mA，2.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
250µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
17 @ 1A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TO-251（IPAK）
描述：
TRANS NPN 400V 4A TO251

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