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TSC5304DCP	文件：88.87 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode Features ●Build-inFree-wheelingDiodeMakesEfficientAnti-saturationOperation ●NoNeedtoInterestanhfeValueBecauseofLowVariableStorage-timeSpreadEvenThoughComerSpiritProduct. ●LowBaseDriveRequirement ●SuitableforHalfBridgeLightBallastApplication	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSC5304DCPRO	文件：553.57 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSC5304DCPRO	文件：212.69 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSC5304ED	文件：228.25 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageNPNTransistorwithDiode Features ●Build-inFree-wheelingDiodeMakesEfficientAnti-saturationOperation ●NoNeedtoInterestanhfeValueBecauseofLowVariableStorage-timeSpreadEvenThoughComerSpiritProduct. ●LowBaseDriveRequirement ●SuitableforHalfBridgeLightBallastApplication Structure ●Sil	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSC5304ED	文件：271.45 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageNPNTransistorwithDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSC5304EDCPRO	文件：228.25 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageNPNTransistorwithDiode Features ●Build-inFree-wheelingDiodeMakesEfficientAnti-saturationOperation ●NoNeedtoInterestanhfeValueBecauseofLowVariableStorage-timeSpreadEvenThoughComerSpiritProduct. ●LowBaseDriveRequirement ●SuitableforHalfBridgeLightBallastApplication Structure ●Sil	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSC5304EDCPROG	文件：271.45 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageNPNTransistorwithDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
UB5304X	文件：332.94 Kbytes Page：24 Pages	SingleColorUltraHighBrightness?5Type	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
UC5304X	文件：332.94 Kbytes Page：24 Pages	SingleColorUltraHighBrightness?5Type	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
UCC5304	文件：1.0252 Mbytes Page：32 Pages	UCC53044-ASource,6-ASinkSingle-ChannelReinforcedIsolationGateDriverWithHighNoiseImmunity	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
TSC5304DCP
功能描述：
两极晶体管 - BJT High Vltg NPN Transistor w/ diode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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