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UB2012	文件：320.68 Kbytes Page：17 Pages	ADVANCEDLINEARCHARGEMANAGEMENTICFORSINGLE DESCRIPTION UTCUB2012isdesignedforportableelectronicswithlowercost.Itsadvantagesofhigh-accuracyvoltage/currentregulation,chargingstatusindication,temperaturemonitoring,andautomaticcharge-ratecompensation. FEATURES *IdealforSingle4.1V,4.2VandDual-Cell8.2V,8.4VLi-I	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UB2012	文件：284.47 Kbytes Page：17 Pages	ADVANCEDLINEARCHARGEMANAGEMENTIC	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
ULN2012	文件：749.9 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS [SPRAGUE] HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ULN2012	文件：186.29 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEHIGHCURRENTDARLINGTONARRAY	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
ULN2012A	文件：749.9 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS [SPRAGUE] HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ULN2012L	文件：749.9 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS [SPRAGUE] HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
UPG2012TB	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	L-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION ThePG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation.Thisdeviceishousedina	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2012TB	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BANDSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB	文件：120.9 Kbytes Page：7 Pages	NECs1/4WSINGLECONTROLL-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB	文件：325.3 Kbytes Page：11 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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