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UPG2010TB	文件：369.52 Kbytes Page：13 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.25dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
URF2010	文件：144.83 Kbytes Page：1 Pages	POWERRECTIFIERS(20A,50-200V) SwitchmodeFullPlasticDualUltrafastPowerRectifiers ...Designedforuseinswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: ✱HighSurgeCapacity ✱LowPowerLoss,HighEfficiency ✱GlassPassivatedchipjunction	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC

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UPG2010TB

文件：369.52 Kbytes

Page：13 Pages

GaAsINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.25dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

URF2010

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POWERRECTIFIERS(20A,50-200V)

SwitchmodeFullPlasticDualUltrafastPowerRectifiers ...Designedforuseinswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: ✱HighSurgeCapacity ✱LowPowerLoss,HighEfficiency ✱GlassPassivatedchipjunction

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

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