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TSB772S	文件：249.46 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：249.46 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772S_07	文件：249.46 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：249.46 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772S_10	文件：89.79 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：89.79 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772SCTA3	文件：89.79 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：89.79 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772SCTA3G	文件：89.79 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：89.79 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772SCTB0	文件：89.79 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：89.79 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772SCTB0G	文件：89.79 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：89.79 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB711A	文件：300 bytes Page：1 Pages	高精度6 Mhz - RR IO - 36 V BiCMOS运算放大器 TSB712和TSB712A双6 MHz带宽放大器具有轨到轨输入和输出，保证工作在+2.7 V至+36 V单电源以及±1.35 V至±18 V双电源。\n\n 这些放大器的优势在于提供大跨度电源电压和在25°C时最大300μV输入失调电压。\n\n TSB712和TSB712A具有宽带宽，压摆率，低噪声，轨到轨能力和高精度等特点，适用于各种应用，例如：滤波器，电源和电机控制，执行器驱动，霍尔效应传感器和电阻传感器。 • 轨到轨输入/输出 \n• 宽电源电压范围:2.7 V 至36 V \n• 压摆率：3 V /μs \n• 集成EMI滤波器 \n• 2kV HBM ESD容差 \n• 汽车级可用;	ST 意法半导体	ST
TSB712	文件：300 bytes Page：1 Pages	高精度6 Mhz - RR IO - 36 V BiCMOS运算放大器 TSB712和TSB712A双6 MHz带宽放大器具有轨到轨输入和输出，保证工作在+2.7 V至+36 V单电源以及±1.35 V至±18 V双电源。\n\n 这些放大器的优势在于提供大跨度电源电压和在25°C时最大300μV输入失调电压。\n\n TSB712和TSB712A具有宽带宽，压摆率，低噪声，轨到轨能力和高精度等特点，适用于各种应用，例如：滤波器，电源和电机控制，执行器驱动，霍尔效应传感器和电阻传感器。 • 轨到轨输入/输出 \n• 低失调电压：最大300μV \n• 宽电源电压范围:2.7 V 至36 V \n• 增益带宽积：6 MHz \n• 压摆率：3 V /μs \n• 低噪音：12 nV /√Hz• 集成EMI滤波器 \n• 标准SO8和miniSO8封装 \n• 2kV HBM ESD容差 \n• 扩展温度范围：-40°C至+ 125°C \n• 汽车级可用;	ST 意法半导体	ST
TSB712A	文件：300 bytes Page：1 Pages	高精度6 Mhz - RR IO - 36 V BiCMOS运算放大器 TSB712和TSB712A双6 MHz带宽放大器具有轨到轨输入和输出，保证工作在+2.7 V至+36 V单电源以及±1.35 V至±18 V双电源。\n\n 这些放大器的优势在于提供大跨度电源电压和在25°C时最大300μV输入失调电压。\n\n TSB712和TSB712A具有宽带宽，压摆率，低噪声，轨到轨能力和高精度等特点，适用于各种应用，例如：滤波器，电源和电机控制，执行器驱动，霍尔效应传感器和电阻传感器。 • 轨到轨输入/输出 \n• 低失调电压：最大300μV \n• 宽电源电压范围:2.7 V 至36 V \n• 增益带宽积：6 MHz \n• 压摆率：3 V /μs \n• 低噪音：12 nV /√Hz• 集成EMI滤波器 \n• 标准SO8和miniSO8封装 \n• 2kV HBM ESD容差 \n• 扩展温度范围：-40°C至+ 125°C \n• 汽车级可用;	ST 意法半导体	ST

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技术参数

Marketing Status：
Active
Package：
SOT23-5L
Grade：
Automotive
Number of Channels：
1
Operating Temperature_min(°C)：
-40
Operating Temperature_max(°C)：
125
Supply Current per Channel_typ(µA)：
1800
Supply Current per Channel_max(µA)：
2800
Supply Voltage_min(V)：
2.7
Supply Voltage_max(V)：
36
Input Offset Voltage_max(mV)：
0.8
Input Bias Current_max(pA)：
900000
Gain Bandwidth Product_typ(MHz)：
6
Slew Rate_typ(V/µs)：
3
Output Current_typ(mA)：
50
Rail to Rail Input：
true
Rail to Rail Output：
true
Input Equivalent Noise Voltage_typ(nV/√ Hz)：
12
Unit Price (US$)：
0.6533

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	TSB7513CP	ST	11+	DIP	8000	全新原装,绝对正品现货供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	TSB7513CP		24+	DIP	428		询价
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