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TSB182IDT中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

TSB182IDT

功能描述

Very high accuracy (20 μV), zero-drift, rail-to-rail output, 3 MHz, 36 V op amp

丝印标识

TSB182I

封装外壳

SO8

文件大小

9.7668 Mbytes

页面数量

36

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-6 15:16:00

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TSB182IDT规格书详情

特性 Features

• Very low offset voltage: 20 μV max. @ 25 °C

• Rail-to-rail output

• Wide supply voltage: 4 to 36 V

• Gain bandwidth product: 3 MHz

• Slew rate: 2 V/μs

• Low noise: 24 nV/√Hz

• EMI hardened

• High ESD tolerance: 4 kV HBM

• Extended temperature range: -40 °C to 125 °C

• AEC-Q100 qualified

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