Specification of High Power IR Emitting Diode Chip

DESCRIPTION TS9414VB is a high power infrared, 940 nm surface emitting diode in GaAlAs technology with high radiant power and high speed. Polarity configuration is “n-up”. GENERAL INFORMATION The datasheet is based on Vishay optoelectronics sample testing under certain predetermined and ass

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VishayVishay Siliconix

威世科技

ST/意法
SOP8

ST/意法

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ST
SOP-8

ST

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信安
TO-3P

信安

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PHILIPS/飞利浦
SSOP20

PHI

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