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BD902	文件：134.25 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD902	文件：107 Kbytes Page：4 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforuseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD895-BD897-BD89	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD902	文件：86.94 Kbytes Page：3 Pages	DARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS TO-220PlasticPackage	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD902	文件：128.38 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD902PNP	文件：86.94 Kbytes Page：3 Pages	DARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS TO-220PlasticPackage	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BGD902	文件：79.62 Kbytes Page：10 Pages	860MHz,18.5dBgainpowerdoubleramplifier Generaldescription HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingwithasupplyvoltageof24V. Features ■Excellentlinearity ■Extremelylownoise ■Excellentreturnlossproperties ■Siliconnitridepassivation ■Ruggedconstruction ■Goldmetallizationensuresexcellentrelia	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BGD902	文件：69.18 Kbytes Page：10 Pages	860MHz,18.5dBgainpowerdoubleramplifier	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD902	文件：73.19 Kbytes Page：10 Pages	CATVamplifiermodules Generaldescription HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingwithasupplyvoltageof24V. Features ■Excellentlinearity ■Extremelylownoise ■Excellentreturnlossproperties ■Siliconnitridepassivation ■Ruggedconstruction ■Goldmetallizationensuresexcellentrelia	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD902L	文件：72.7 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingwithasupplyvoltageof24V. FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Excellentreturnlossproperties •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationensuresexcellentreliability	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD902MI	文件：73.19 Kbytes Page：10 Pages	CATVamplifiermodules Generaldescription HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingwithasupplyvoltageof24V. Features ■Excellentlinearity ■Extremelylownoise ■Excellentreturnlossproperties ■Siliconnitridepassivation ■Ruggedconstruction ■Goldmetallizationensuresexcellentrelia	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
TS902IDT
功能描述：
运算放大器 - 运放 CMOS dual operational amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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