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TS6P02G	文件：50.63 Kbytes Page：2 Pages	Single Phase 6.0 Amps. Glass Passivated Bridge Rectifiers VoltageRange50to1000VoltsCurrent6.0Amperes Features Glasspassivatedjunction Idealforprintedcircuitboard Reliablelowcostconstruction PlasticmaterialhasUnderwriters LaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Surgeoverloadratingto150amperespeak	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS6P02G	文件：228.03 Kbytes Page：2 Pages	Single Phase 6.0 Amps. Glass Passivated Bridge Rectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
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TS6P02G	文件：206.6 Kbytes Page：4 Pages	6A, 50V - 1000V Glass Passivated Bridge Rectifiers	TMTTaiwan Memory Technology Taiwan Memory Technology	TMT
TS6P02G-K	文件：313.58 Kbytes Page：6 Pages	6A, 50V - 1000V Glass Passivated Bridge Rectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS6P02G D2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：4-SIP，TS-6P 类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A TS-6P	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P02GHC2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：4-SIP，TS-6P 类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A TS-6P	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P02GHD2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：4-SIP，TS-6P 类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A TS-6P	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
KX6P02	文件：2.01806 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NTF6P02	文件：112.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET-10Amps,-20Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02	文件：212.98 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET–Power,P-Channel,SOT-223-10A,-20V Features •LowRDS(on) •LogicLevelGateDrive •DiodeExhibitsHighSpeed,SoftRecovery •AvalancheEnergySpecified •NVFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable* •TheseDevicesarePb−Free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6P02	文件：124.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET6A,20V,P?묬hannelSOIC??,Dual	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVF6P02	文件：212.98 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET–Power,P-Channel,SOT-223-10A,-20V Features •LowRDS(on) •LogicLevelGateDrive •DiodeExhibitsHighSpeed,SoftRecovery •AvalancheEnergySpecified •NVFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable* •TheseDevicesarePb−Free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMD6P02	文件：124.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET6A,20V,P?묬hannelSOIC??,Dual	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
TS6P02G
功能描述：
桥式整流器 6.0 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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