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UltraLow-Noise,HighSpeed,WideBand,DualOperationalAmplifier FEATURES EquivalentInputNoiseVoltage(f=1kHz)4.5nV/Hz(TYP.) TotalHarmonicDistortionRate(f=20Hz~20kHz)0.002(TYP.) SlewRate7V/μs(TYP.) GainBandwidthProductGBW(f=100kHz)15MHz(TYP.) InputOffsetVoltage±0.3mV(TYP.) OperatingAmbientTemperatur | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
DUALULTRALOW-NOISE,WIDEBAND,OPERATIONALAMPLIFIER [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
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UltraLow-Noise,HighSpeed,WideBand,DualOperationalAmplifier FEATURES EquivalentInputNoiseVoltage(f=1kHz)4.5nV/Hz(TYP.) TotalHarmonicDistortionRate(f=20Hz~20kHz)0.002(TYP.) SlewRate7V/μs(TYP.) GainBandwidthProductGBW(f=100kHz)15MHz(TYP.) InputOffsetVoltage±0.3mV(TYP.) OperatingAmbientTemperatur | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
DUALULTRALOW-NOISE,WIDEBAND,OPERATIONALAMPLIFIER [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
UltraLow-Noise,HighSpeed,Wideband,DualOperationalAmplifier Features •Ultralow-noise(f=1kHz):4.5nV/√Hz(TYP.) •Totalharmonicdistortion(f=20Hzto20kHz):0.002(TYP.) •Highslewrate:7V/μs(TYP.) •Highgainbandwidthproduct(f=100kHz):15MHz(TYP.) •Inputoffsetvoltage:±0.3mV(TYP.) •Operatingambienttemperature:−40 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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