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TS13007BCZ	文件：261.17 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage NPN Transistor Features ●HighVoltage ●HighSpeedSwitching Structure ●SiliconTripleDiffusedType ●NPNSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS13007BCZC0	文件：182.45 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage NPN Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
13007	文件：667.18 Kbytes Page：1 Pages	Series8ElevatorSocketw/ColletContacts&SolderPinTails Series8ElevatorSocketw/ColletContacts&SolderPinTails FEATURES •IdealforElevatingDevices(Displays,Switches,etc.)toDesiredLevelwith 0.260to1.250[6.60to31.75]HeightExtension	ARIES Aries Electronics,inc	ARIES
13007	文件：128.1 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconTransistor NPNSiliconTransistor forhighvoltage,high-speedpowerswitchingapplication	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
13007	文件：40.16 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:700V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
13007	文件：119.84 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ComputerSwitchPowerSupply	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
13007A	文件：180.81 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(8A,400V,80W) SWIRCHMODESERIESNPNPOWERTRNASISTOR ...designedforuseinhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuit,theyareparticularlysuitedfor115and220Vswitchmodeapplicationssuchasswitchingrequlators,inverters,DC-DCconverter,MotorControls,SolenoiddriveandDeflec	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
13007B	文件：261.17 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageNPNTransistor Features ●HighVoltage ●HighSpeedSwitching Structure ●SiliconTripleDiffusedType ●NPNSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
13007DL	文件：121.44 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION Mainlyusedfor110VpowerFluorescentLamp、 ElectronicBallast，etc	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
13007S	文件：126.98 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION ComputerSwitchPowerSupplyand Allkindsofpowerswitchcircuit	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO

详细参数

型号：
TS13007BCZ
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 700V 8.0A High Voltage/Speed
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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