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TS130	文件：300 bytes Page：1 Pages	塑胶方形 15/16A,10A_250VPlastic square shell	LANSON 良胜电子	LANSON
TS13001	文件：125.69 Kbytes Page：10 Pages	Galvanic Isolated Blocking 56V Power Load Switch Description The TS13001 is a galvanic isolated 56V power switch device with bi-directional blocking. The device includes a single integrated 110mOhm high voltage FET allowing high efficiency switching of power loads or other high current applications. The input pin, CLK, controls the turn on/off 文件：125.69 Kbytes 页数：10 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
TS13001	文件：35.24 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage NPN Transistor BVCEO = 400V BVCBO = 500V Ic = 0.1A VCE (SAT), = 0.5V @ Ic / Ib = 50mA / 10mA Features ◇ High voltage. ◇ High speed switching Structure ◇ Silicon triple diffused type. ◇ NPN silicon transistor 文件：35.24 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TS13001CT	文件：35.24 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage NPN Transistor BVCEO = 400V BVCBO = 500V Ic = 0.1A VCE (SAT), = 0.5V @ Ic / Ib = 50mA / 10mA Features ◇ High voltage. ◇ High speed switching Structure ◇ Silicon triple diffused type. ◇ NPN silicon transistor 文件：35.24 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TS13001-QFNR	文件：125.69 Kbytes Page：10 Pages	Galvanic Isolated Blocking 56V Power Load Switch Description The TS13001 is a galvanic isolated 56V power switch device with bi-directional blocking. The device includes a single integrated 110mOhm high voltage FET allowing high efficiency switching of power loads or other high current applications. The input pin, CLK, controls the turn on/off 文件：125.69 Kbytes 页数：10 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
TS13002	文件：34.74 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件：34.74 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TS13002A	文件：144.14 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件：144.14 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TS13002ACTA3	文件：144.14 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件：144.14 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TS13002ACTB0	文件：144.14 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件：144.14 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TS13002CTA3	文件：34.74 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage NPN Transistor Features ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor 文件：34.74 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Polarity：
NPN
Status：
NRND
AEC-Q：
No
IC (A)：
0.3
VCEO (V)：
400
VCBO (V)：
700
DC Current Gain hFE Min.：
20
DC Current Gain hFE Max.：
40
VCE Sat. (V)：
1.5
VEBO (V)：
9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	TS13003BCT	TSC	17+	NA	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市弘为电子有限公司	TS13071A221MMA0A0	SUN	24+	原厂封装	9940	原装现货假一罚十	询价
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