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VB1158M	文件：577.71 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •100RgandUISTested •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBA1158N	文件：615.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBM1158N	文件：542.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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