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TRS4A65F	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC Schottky barrier diode Application Scope：Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters\nFeature：Chip design of 2nd generation.\nNumber of Circuits：1\nInternal Connection：Single\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：Korea	Toshiba 东芝	Toshiba
TRS4A65F	文件：245.5 Kbytes Page：6 Pages	丝印：TRS4A65F；Package：TO-220F-2L；SiC Schottky Barrier Diode 文件：245.5 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TRS4A65F,S1Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A65DA	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更多TRS4A65F供应商更新时间2025-10-10 15:26:00