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TRS16N65D中文资料SiC Schottky barrier diode数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TRS16N65D

参数属性

TRS16N65D 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247

功能描述

SiC Schottky barrier diode

封装外壳

TO-247-3

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:56:00

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TRS16N65D规格书详情

描述 Description

Application Scope:Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters
Number of Circuits:2
Internal Connection:Common cathode
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Forward DC current IF(DC) 16 A
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V

技术参数

  • 产品编号:

    TRS16N65D,S1F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    8A(DC)

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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