序号 型号 极限工作电压 最大电流允许值 最大耗散功率 放大倍数 最大工作频率 制作材料
12SB637(K) 50V0.1A0.3W200MHZSi-PNP
22SB638(H) 100V10A80Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl+Di
32SB639(H) 100V10A100Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl+Di
42SB640 25V0.3A0.15W<1MHZ或未知Ge-PNP
52SB641 30V0.1A0.4W80MHZSi-PNP
62SB642 60V0.1A0.4W80MHZSi-PNP
72SB643 30V0.5A0.6W200MHZSi-PNP
82SB644 60V0.5A0.6W200MHZSi-PNP
92SB645 200V15A150W12MHZSi-PNP
102SB646(A) 120V0.05A0.9W140MHZSi-PNP
112SB647(A) 120V1A0.9W140MHZSi-PNP
122SB648(A) 180V0.05A140MHZSi-PNP
132SB649(A) 180V1.5A140MHZSi-PNP
142SB650(H) 100V15A100Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl+Di
152SB653(A) 120V7A60W20MHZSi-PNP
162SB654(A) 120V7A80W20MHZSi-PNP
172SB655(A) 160V12A100W20MHZSi-PNP
182SB656(A) 160V12A125W20MHZSi-PNP
192SB668 60V3A25Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
202SB668A 80V3A25Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
212SB669 70V4A40Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
222SB669(A) 90V4A40Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
232SB670 90V5A60Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
242SB670(A) 110V5A60Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
252SB671 100V7A80Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
262SB671(A) 120V7A80Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
27GES5817 50V0.75A0.5Wβ>100>120MHZSi-N/P
282SB672 120V8A110Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
292SB672(A) 140V8A110Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
302SB673 100V7A40Wβ>2000<1MHZ或未知Si-P+Darl+Di