序号 型号 极限工作电压 最大电流允许值 最大耗散功率 放大倍数 最大工作频率 制作材料
12SB389 12V0.01A0.08W<1MHZ或未知Ge-PNP
2GES5814 50V0.75A0.5Wβ>60>100MHZSi-N/P
32SB390 80V6A30W<1MHZ或未知Ge-PNP
42SB391 50V6A30W<1MHZ或未知Ge-PNP
52SB392 20V0.2A0.2W<1MHZ或未知Ge-PNP
62SB393 28V0.2A0.2W<1MHZ或未知Ge-PNP
72SB394 28V0.2A0.2W<1MHZ或未知Ge-PNP
82SB395 28V0.2A0.2W<1MHZ或未知Ge-PNP
92SB396 40V0.2A0.15W<1MHZ或未知Ge-PNP
102SB397 48V0.08A0.2W<1MHZ或未知Ge-PNP
112SB398 110V0.08A0.2W<1MHZ或未知Ge-PNP
122SB831 25V0.7A65MHZSi-PNP
132SB832 1KV0.01A25W4.5MHZSi-PNP
142SB833 80V30A150Wβ=4000<1MHZ或未知Si-P+Darl+Di
15GES5815 50V0.75A0.5Wβ>60>100MHZSi-N/P
162SB834 60V3A30W9MHZSi-PNP
172SB835 20V1A0.1W200MHZSi-PNP
182SB836 25V2.5A20W<1MHZ或未知Si-PNP
192SB836L 25V2.5A20W<1MHZ或未知Si-PNP
202SB837 35V2.5A20W<1MHZ或未知Si-PNP
212SB837L 35V2.5A20W<1MHZ或未知Si-PNP
222SB838 50V2A20W130MHZSi-PNP
232SB838L 50V2A20W130MHZSi-PNP
242SB839 80V2A20W130MHZSi-PNP
252SB839L 80V2A20W130MHZSi-PNP
262SB840 180V1.5A20W140MHZSi-PNP
272SB399 110V0.08A0.2W<1MHZ或未知Ge-PNP
282SB400 20V0.04A0.1W<1MHZ或未知Ge-PNP
292SB401 40V0.3A0.24W<1MHZ或未知Ge-PNP
302SB402 60V0.3A0.24W<1MHZ或未知Ge-PNP