| 序号 |
型号 |
极限工作电压 |
最大电流允许值 |
最大耗散功率 |
放大倍数 |
最大工作频率 |
制作材料 |
| 1 | V205
| 15V | 0.05A | 0.3W | β=55 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 2 | V405A
| 12V | 0.1A | 0.3W | β>20 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 3 | V409
| 65V | 6A | 50W | | <1MHZ或未知 | Si-NPN |
| 4 | V410
| 20V | 0.3A | 0.7W | β>40 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 5 | V410A
| 35V | | 0.7W | | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 6 | V415
| 28V | 0.06A | 0.2W | | <1MHZ或未知 | Si-NPN |
| 7 | V435
| 20V | 0.1A | 0.3W | β>40 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 8 | V575
| 40V | 0.57A | 7.5W | β=20-200 | <1MHZ或未知 | Si-NPN |
| 9 | V578
| 15V | 0.02A | 0.15W | β=30-300 | <1MHZ或未知 | Si-NPN |
| 10 | V643
| 40V | 0.4A | 3.7W | β=20-200 | <1MHZ或未知 | Si-NPN |
| 11 | V654
| 50V | | 0.8W | β=100 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 12 | V655
| 35V | | 0.2W | β=135 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 13 | V658
| 20V | 0.05A | 0.25W | β=100 | <1MHZ或未知 | Si-NPN |
| 14 | V721
| | | 0.3W | β=50 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 15 | V723
| | | 0.36W | β=130 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 16 | V741
| 30V | 0.36A | | β=180 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 17 | V743
| 20V | | 0.36W | β=130 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 18 | V745
| 50V | | 0.8W | β=45 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 19 | V761
| 25V | 0.1A | 0.4W | β=100 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 20 | V763
| | | 0.4W | β=100 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 21 | V765
| 120V | 0.5A | 0.7W | β=140 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
| 22 | UN612D...L
| | | | | <1MHZ或未知 | Si-P+R |
| 23 | UN612Y
| 50V | 0.5A | 0.6W | | <1MHZ或未知 | Ge-P+R |
| 24 | UN621D
| 50V | 0.1A | 0.4W | | <1MHZ或未知 | Ge-N+R |
| 25 | UN621E
| 50V | 0.1A | 0.4W | | <1MHZ或未知 | Ge-N+R |
| 26 | UN621F
| 50V | 0.1A | 0.4W | | <1MHZ或未知 | Ge-N+R |
| 27 | UN621K
| 50V | 0.1A | 0.4W | | <1MHZ或未知 | Ge-N+R |
| 28 | UN621L
| 50V | 0.1A | 0.4W | | <1MHZ或未知 | Ge-N+R |
| 29 | UN801
| | | | | <1MHZ或未知 | Si-P/N |
| 30 | UN911D
| 50V | 0.1A | 0.4W | | <1MHZ或未知 | Si-P+R |