序号 型号 极限工作电压 最大电流允许值 最大耗散功率 放大倍数 最大工作频率 制作材料
12SD1991 30V0.1A0.4W150MHZSi-NPN
22SD1991A 60V0.1A0.4W150MHZSi-NPN
32SD1992 600V30A400Wβ>150<1MHZ或未知Si-NPN
42SD1992A 300V40A400Wβ>150<1MHZ或未知Si-NPN
52SD1993 55V0.1A0.4W<1MHZ或未知Si-NPN
62SD1994(A) 60V1A1W200MHZSi-NPN
72SD1995 50V0.05A200MHZSi-NPN
82SD1996 25V0.5A0.6W200MHZSi-NPN
92SD1997 40V3A<1MHZ或未知Si-N+R+Di
102SD1998 40V3A<1MHZ或未知Si-N+R+Di
112SD1999 30V4A<1MHZ或未知Si-N+R+Di
122SD20 25V0.3A0.15Wβ=50<1MHZ或未知Ge-NPN
132SD200(A) 1.5KV2.5A25W<1MHZ或未知Si-NPN
142SD2000 80V4A35W80MHZSi-NPN
152SD2001 1500V1.5A40W<1MHZ或未知Si-N+Di
162SD2002 1500V5A50W<1MHZ或未知Si-NPN
172SD2004 160V1.5A1.2W80MHZSi-NPN
182SD2005 40V1A1.2W150MHZSi-NPN
192SD2006 80V0.7A1.2W120MHZSi-NPN
202SD2007 40V2A1.2W100MHZSi-NPN
212SD2008 120V1A1.2W100MHZSi-NPN
222SD2009 60V1A1.2Wβ>2000<1MHZ或未知Si-N+Darl
232SD201 90V6A50W<1MHZ或未知Si-NPN
242SD2010 60V2A1.2Wβ>1000<1MHZ或未知Si-N+Darl+Di
252SD2011 100V2A15Wβ=1000-10000<1MHZ或未知Si-N+Darl+Di
262SD2012 60V3A25Wβ=100-3203MHZSi-NPN
272SD2014 120V4A25Wβ=200075MHZSi-N+Darl+Di
282SD2015 150V4A25Wβ=200040MHZSi-N+Darl+Di
292SD2016 200V3A25Wβ>100090MHZSi-N+Darl+Di
302SD2017 300V6A35Wβ=200020MHZSi-N+Darl+Di