序号 型号 极限工作电压 最大电流允许值 最大耗散功率 放大倍数 最大工作频率 制作材料
12SB635 32V0.15A0.15W<1MHZ或未知Ge-PNP
22SB636 32V0.15A0.15W<1MHZ或未知Ge-PNP
32SB637(K) 50V0.1A0.3W200MHZSi-PNP
42SB638(H) 100V10A80Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl+Di
52SB639(H) 100V10A100Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl+Di
62SB64 100V6A25W<1MHZ或未知Ge-PNP
72SB640 25V0.3A0.15W<1MHZ或未知Ge-PNP
82SB641 30V0.1A0.4W80MHZSi-PNP
92SB642 60V0.1A0.4W80MHZSi-PNP
102SB643 30V0.5A0.6W200MHZSi-PNP
112SB644 60V0.5A0.6W200MHZSi-PNP
122SB645 200V15A150W12MHZSi-PNP
132SB646(A) 120V0.05A0.9W140MHZSi-PNP
142SB647(A) 120V1A0.9W140MHZSi-PNP
152SB648(A) 180V0.05A140MHZSi-PNP
162SB649(A) 180V1.5A140MHZSi-PNP
172SB65 30V0.1A0.15W<1MHZ或未知Ge-PNP
182SB650(H) 100V15A100Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl+Di
192SB653(A) 120V7A60W20MHZSi-PNP
202SB654(A) 120V7A80W20MHZSi-PNP
212SB655(A) 160V12A100W20MHZSi-PNP
222SB656(A) 160V12A125W20MHZSi-PNP
232SB66(H) 30V0.07A0.15W<1MHZ或未知Ge-PNP
242SB668 60V3A25Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
252SB668A 80V3A25Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
262SB669 70V4A40Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
272SB669(A) 90V4A40Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
282SB67(H) 30V0.15A0.35W<1MHZ或未知Ge-PNP
292SB670 90V5A60Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl
302SB670(A) 110V5A60Wβ>1000<1MHZ或未知Si-P+Darl