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TSUS5200	文件：119.65 Kbytes Page：7 Pages	InfraredEmittingDiode,950nm,GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS5200	文件：110.99 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs DESCRIPTION TSUS5200isaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAstechnologymoldedinablue-graytintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Leadswithstand-off •Peakwavelength:λp=950nm •Highreliability •Angleofha	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS5200	文件：120.19 Kbytes Page：6 Pages	InfraredEmittingDiode,950nm,GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS5200	文件：109.39 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TTC5200	文件：256.26 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNtriplediffusionplanartransistor15A/230V/150W	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
TTC5200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TTC5200	文件：303.25 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconEpitaxialPlanarNPNPowerTransistors	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
TTC5200	文件：306.84 Kbytes Page：6 Pages	PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
TTC5200	文件：196.54 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TTC5200-O-AL-N-D	文件：306.84 Kbytes Page：6 Pages	PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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