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IIPW60R070C6	文件：335.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤70mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW60R070C6	文件：335.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤70mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IIPW60R070C6

文件：335.47 Kbytes

Page：2 Pages

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤70mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IPW60R070C6

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N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IPW60R070C6

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Page：13 Pages

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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深圳市创新迹电子有限公司	TPW60R070C6	INFINEON/英飞凌	22+	TO247	20000	原装现货,假一罚十	询价
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更多TPW60R070C6供应商更新时间2025-7-28 17:55:00

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