TPS7H6025-SP中文资料耐辐射、QMLP 22V 半桥 GaN 栅极驱动器数据手册TI规格书

描述 Description

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005（200V 等级）、TPS7H6015（60V 等级）和 TPS7H6025（22V 等级）。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

特性 Features

辐射性能：

耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)

单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg

单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg



1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流

两种工作模式：

具有可调死区时间的单个 PWM 输入

两个独立输入



在独立输入模式下提供可选输入互锁保护

分离输出实现可调的导通和关断时间

独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns

5.5ns 典型延迟匹配

通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试

可用于军用温度范围，即 -55°C 至 125°C