TPS7H60x5-SP and TPS7H60x5-SEP Radiation-Hardness-Assured Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1 Features • Radiation Performance: – Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si) – Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg – Single-event tran

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TPS7H60x5-SP and TPS7H60x5-SEP Radiation-Hardness-Assured Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1 Features • Radiation performance: – Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si) – Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg – Single-event tran

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TPS7H60x5-SP and TPS7H60x5-SEP Radiation-Hardness-Assured Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1 Features • Radiation performance: – Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si) – Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg – Single-event tran

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耐辐射、QMLP 60V 半桥 GaN 栅极驱动器

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005（200V 等级）、TPS7H6015（60V 等级）和 TPS7H6025（22V 等级）。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出，可独立灵 • 辐射性能： \n• 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)\n• 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg\n• 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg\n \n• 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流\n• 两种工作模式： \n• 具有可调死区时间的单个 PWM 输入\n• 两个独立输入\n \n• 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护\n• 分离输出实现可调的导通和关断时;

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