TPS7H2211-SP Radiation-Hardness-Assured (RHA) 14-V, 3.5-A eFuse

1 Features • Total ionizing dose (TID) characterized to 100 krad(Si) – Radiation hardness assurance availability of 100 krad(Si) • Single-event effects (SEE) characterized – Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy

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TPS7H2201-SP and TPS7H2201-SEP Radiation Hardened 1.5-V to 7-V, 6-A eFuse

1 Features • Standard micro circuit available, SMD 5962R17220 • Vendor item drawing available, VID V62/23608 • Radiation performance: – Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100 krad(Si) – Single event latchup (SEL), single event burnout (SEB), and single event gate rupture (SEGR)

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TPS7H2201-SP and TPS7H2201-SEP Radiation Hardened 1.5V to 7V, 6A eFuse

1 Features • Standard micro circuit available, SMD 5962R17220 • Vendor item drawing available, VID V62/23608 • Radiation performance: – Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100krad(Si) – Single event latchup (SEL), single event burnout (SEB), and single event gate rupture (SEGR) i

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抗辐射 1.5V 至 7V 输入 6A 电子保险丝

TPS7H2201 是一款单通道电子保险丝，可提供用于最大限度地降低浪涌电流的可配置上升时间和反向电流保护。此器件包括一个 P 沟道 MOSFET，可在 1.5V 至 7V 的输入电压范围内运行并可支持 6A 的最大持续电流。此开关由一个开关输入 (EN) 控制，该输入能够直接连接至低电压控制信号。\n\nTPS7H2201 采用具有集成散热焊盘的陶瓷和塑料封装，可支持高功率耗散。该器件在自然通风环境下的额定运行温度范围为 –55°C 至 125°C。 • 提供标准微型电路，SMD 5962R17220 \n• 辐射性能： \n• 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于 LET 的抗扰度 = 75MeV-cm 2/mg\n• 集成式单通道电子保险丝\n• 低导通电阻 (R ON)： \n• 对于 HTSSOP 封装，在 25°C 且 VIN = 5V 时的最大导通电阻为 21.8mΩ\n• 6A 最大持续开关电流\n• 可配置上升时间（软启动）\n• 可编程和内部电流限制 （快速跳变）\n• 热关断\n• 带散热焊盘的陶瓷和塑料封装;

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