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TPS7H1101A-SP	文件：2.14652 Mbytes Page：33 Pages	TPS7H1101A-SP 1.5-V to 7-V Input, 3-A, Radiation-Hardened LDO Regulator 1 Features • 5962R13202 (1): – Radiation hardness assurance (RHA) qualified up to total ionizing dose (TID) 100 krad(Si) – ELDRS-free: 100 krad(Si) – Dose rate: 10 mrad(Si)/s – Single event latch-up (SEL) immune to LET = 85 MeV-cm2/mg – SEB and SEGR immune to LET = 85 MeV-cm2/mg – SET/SE 文件：2.14652 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS7H1101A-SP	文件：989.5 Kbytes Page：29 Pages	1.5-V to 7-V Input, 3-A, Radiation-Hardened LDO Regulator 文件：989.5 Kbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS7H1101A-SP	文件：1.42368 Mbytes Page：31 Pages	1.5-V to 7-V Input, 3-A, Radiation-Hardened LDO Regulator 文件：1.42368 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS7H1101A-SP	文件：2.10063 Mbytes Page：32 Pages	TPS7H1101A-SP 1.5-V to 7-V Input, 3-A, Radiation-Hardened LDO Regulator 文件：2.10063 Mbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS7H1101A-SP_V02	文件：2.14652 Mbytes Page：33 Pages	TPS7H1101A-SP 1.5-V to 7-V Input, 3-A, Radiation-Hardened LDO Regulator 1 Features • 5962R13202 (1): – Radiation hardness assurance (RHA) qualified up to total ionizing dose (TID) 100 krad(Si) – ELDRS-free: 100 krad(Si) – Dose rate: 10 mrad(Si)/s – Single event latch-up (SEL) immune to LET = 85 MeV-cm2/mg – SEB and SEGR immune to LET = 85 MeV-cm2/mg – SET/SE 文件：2.14652 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS7H1101A-SP_17	文件：1.42368 Mbytes Page：31 Pages	1.5-V to 7-V Input, 3-A, Radiation-Hardened LDO Regulator 文件：1.42368 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS7H1101A-SP_V01	文件：2.10063 Mbytes Page：32 Pages	TPS7H1101A-SP 1.5-V to 7-V Input, 3-A, Radiation-Hardened LDO Regulator 文件：2.10063 Mbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS7H1101A-SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	耐辐射加固保障 (RHA) 1.5V 至 7V 输入、3A 低噪声低压差 (LDO) 稳压器 TPS7H1101A-SP 是 TPS7H1101-SP 的改进版，允许在整个输入电压范围内使用使能特性。它是一款使用 PMOS 导通元件配置的耐辐射 LDO 线性稳压器。它可在 1.5V 至 7V 的宽输入电压范围内运行，同时提供出色的 PSRR。TPS7H1101A-SP 通过极宽的调节范围实现了精确的可编程折返电流限值功能。为了满足 FPGA、DSP 或微控制器的复杂电源要求，TPS7H1101A-SP 提供了启用开/关功能、可编程软启动、共流能力和一个电源正常开漏输出。 • 5962R13202： \n• 耐辐射保障 (RHA)：高达 100krad (Si) TID\n• 电离辐射总剂量：100krad (Si)\n• 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS)：100krad (Si)\n• 剂量率：10 mrad (Si)/s\n• 单粒子锁定 (SEL) 对于LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg \n• SEB 和 SEGR 对于 LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg\n• SET/SEFI 起始阈值大于 40MeV-cm2/mg，详情请参阅辐射报告(SNAA257) \n• 专为降低干扰而设计，以避免损坏重要的下行组件 \n \n• ;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Iout (Max) (A)：
3
Vin (Max) (V)：
7
Vin (Min) (V)：
1.5
Vout (Max) (V)：
6.65
Vout (Min) (V)：
0.8
Fixed output options (V)：
0
Noise (uVrms)：
20
Iq (Typ) (mA)：
7
Thermal resistance θJA (°C/W)：
75.4
Rating：
Space
Load capacitance (Min) (µF)：
22
Regulated outputs (#)：
1
Features：
Enable
Accuracy (%)：
2
PSRR @ 100 KHz (dB)：
25
Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV)：
210
Operating temperature range (C)：
-55 to 125

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒科翔业电子有限公司	TPS7H1101A-SP	TI德州仪器	22+		24000	原装正品现货,实单可谈,量大价优	询价
兆亿微波(北京)科技有限公司	TPS7H1101A-SP	N/A			99		询价
深圳市祥瑞智科技有限公司	TPS7H1101AY/EM	TI	25+	(KGD)	6000	原厂原装,价格优势	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	TPS7H1101HKR	TI/德州仪器	23+		11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市恒创达实业有限公司	TPS7H1101HKR/EM	TI	16+	原厂封装	30	宇航IC只做原装假一罚十	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	TPS7H1101HKR/EM	TI	24+	N/A	90000	原厂正规渠道现货、保证原装正品价格合理	询价
深圳市鹏和科技有限公司	TPS7H1101HKR/EM	TI	24+		25	全新原装	询价
深圳市星佑电子有限公司	TPS7H1101HKR/EM	TI	18+	原厂原装假一赔十	25	原厂很远现货很近,找现货选星佑电子,原厂原装假一赔	询价
深圳市湘达电子科技有限公司	TPS7H1101HKR/EM	TI/德州仪器	2022+		25	只做原装,价格优惠,长期供货。	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	TPS7H1101HKR/EM	TI/德州仪器	23+	CFP-16	30000	原装正品，支持实单	询价

更多TPS7H1101A-SP供应商更新时间2025-10-7 15:01:00

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