采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器，其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。 TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸，开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求，而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下 • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果： \n• 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2\n• 单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案\n• 集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 可调频率范围：100kHz 至 2.5MHz\n• 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%\n• 针对预偏置输出的单调性启动\n• 直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降 (LDO) 稳压器 \n• 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51&;

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2.95-V to 6-V Input, 4-A Step-Down Converter and 1-A Source/Sink DDR Termination Regulator

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包装：盒 类别：开发板，套件，编程器 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS 描述：EVALUATION MODULE

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