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TPS51601ADRBT	文件：974.94 Kbytes Page：20 Pages	丝印：601A；Package：SON；Dual High Efficiency Synchronous MOSFET Driver 1FEATURES • High Voltage Synchronous Buck Driver • Integrated Boost Switch for Bootstrap Action • Adaptive Dead Time Control and Shoot- through Protection • 0.4-Ω Sink Resistance for Low-side Drive • 1.0-Ω Source Resistance for High-side Drive • SKIP Pin to Improve Light-Load Efficiency • 文件：974.94 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS51601ADRBT	文件：984.21 Kbytes Page：21 Pages	Dual High Efficiency Synchronous MOSFET Driver 1FEATURES • High Voltage Synchronous Buck Driver • Integrated Boost Switch for Bootstrap Action • Adaptive Dead Time Control and Shoot- through Protection • 0.4-Ω Sink Resistance for Low-side Drive • 1.0-Ω Source Resistance for High-side Drive • SKIP Pin to Improve Light-Load Efficiency • 文件：984.21 Kbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS51601ADRBT	文件：949.95 Kbytes Page：19 Pages	Dual High Efficiency Synchronous MOSFET Driver 文件：949.95 Kbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS51601ADRBT.B	文件：984.21 Kbytes Page：21 Pages	Dual High Efficiency Synchronous MOSFET Driver 1FEATURES • High Voltage Synchronous Buck Driver • Integrated Boost Switch for Bootstrap Action • Adaptive Dead Time Control and Shoot- through Protection • 0.4-Ω Sink Resistance for Low-side Drive • 1.0-Ω Source Resistance for High-side Drive • SKIP Pin to Improve Light-Load Efficiency • 文件：984.21 Kbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS51601ADRBT.B	文件：974.94 Kbytes Page：20 Pages	丝印：601A；Package：SON；Dual High Efficiency Synchronous MOSFET Driver 1FEATURES • High Voltage Synchronous Buck Driver • Integrated Boost Switch for Bootstrap Action • Adaptive Dead Time Control and Shoot- through Protection • 0.4-Ω Sink Resistance for Low-side Drive • 1.0-Ω Source Resistance for High-side Drive • SKIP Pin to Improve Light-Load Efficiency • 文件：974.94 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS51601ADRBT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
TPS51601ADRBT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.7V，4V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，10ns
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SON（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TPS51601ADRBT供应商更新时间2026-1-22 16:43:00

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