TPS51200-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外，TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。

TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。

特性 Features

• 符合汽车类 标准
• AEC-Q100 测试指导结果如下：的顶部
• 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 –40°C 至 125°C
• 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
• 器件 CDM ESD 分类等级 C4B

• 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
• VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
• 具有压降补偿功能的灌电流/拉电流终端稳压器
• 所需最小输出电容为 20µF（通常为 3 × 10µF MLCC），用于存储器终端 应用 (DDR)
• 用于监视输出稳压的 PGOOD
• EN 输入
• REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
• 远程感测 (VOSNS)
• ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
• 内置软启动、UVLO 和 OCL
• 热关断
• 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范；支持 DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
• 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装