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TPS50601-SP中文资料耐辐射加固保障 (RHA)、3V 至 6.3V 输入,6A 同步降压转换器数据手册TI规格书

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厂商型号

TPS50601-SP

功能描述

耐辐射加固保障 (RHA)、3V 至 6.3V 输入,6A 同步降压转换器

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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TPS50601-SP规格书详情

描述 Description

TPS50601-SP 是一款抗辐射加固型 6.3V、6A 同步降压转换器。该器件通过高效率以及集成高侧和低侧 MOSFET 的方式针对小型设计进行了优化。通过电流模式控制减少组件数量,并通过高开关频率缩小电感器封装尺寸,来进一步节省空间。此器件提供耐热增强型 20 引脚陶瓷,双列直插扁平封装。 这些部件仅用于工程评估。以非合规性流程对其进行了处理(即未进行老化处理等操作)并且仅在 25°C 的额定温度下进行了测试。这些部件不适用于质检、生产、辐射测试或飞行。这些零部件无法在 –55°C 至 125°C 的完整 MIL 额定温度范围内或运行寿命中保证其性能。要了解所有可用封装,请参见数据表末尾的可订购产品附录。 已知的合格芯片采用叠片封装的裸片 输出电压启动斜坡由 SS/TR 引脚控制,可实现独立电源运行,或者跟踪状态下的运行。此外,正确配置启用与开漏电源正常引脚也可实现电源排序。高侧 FET 的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件,并通过低侧电源限流防止电流失控,从而实现功能增强。此外,还提供可关闭低侧 MOSFET 的低侧吸收电流限值,以防止过多的反向电流。当芯片温度超过热关断温度时,热关断禁用此部件。

特性 Features

• 5962R10221:
• 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100 kRAD (Si) – 10mRAD(Si)/s
• 单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 的抗扰度为 85MeV-cm2/mg,提供安全运行区域 (SOA) 曲线(请参见)
• 峰值效率:95% (VO = 3.3V)
• 分离电源轨:PVIN 上的电压为 1.6V 至 6.3V
• 6A 最大输出电流
• 100kHz 至 1MHz 可调内部振荡器
• 可针对主/从设备将同步引脚配置为 500kHz 输出 应用
• 25°C 下的电压基准为 0.795V±1.258%
• 通过外部电容进行调节的软启动
• 针对欠压及过压的电源良好输出监控
• 20 引脚耐热增强型陶瓷扁平封装 (HKH)
• 请参见工具和软件 (Tools & Software) 选项卡

应用 Application

用于现场可编程门阵列(FPGA)、微控制器和专用集成电路(ASIC)的太空卫星负载点电源
太空卫星有效载荷
抗辐射应用
可用于军用温度范围(-55°C至125°C)
提供工程评估(/EM)样品(1)

技术参数

  • 制造商编号

    :TPS50601-SP

  • 生产厂家

    :TI

  • Vin (Max) (V)

    :6.3

  • Vout (Min) (V)

    :0.795

  • Vout (Max) (V)

    :6.35

  • Iout (Max) (A)

    :6

  • Iq (Typ) (uA)

    :5000

  • Switching frequency (Min) (kHz)

    :100

  • Switching frequency (Max) (kHz)

    :1000

  • Features

    :Enable

  • Operating temperature range (C)

    :-55 to 125

  • Rating

    :Space

  • Regulated outputs (#)

    :1

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