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TPS28225DRBR	文件：2.06215 Mbytes Page：43 Pages	TPS28225 High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Driver 1 Features • Drives Two N-Channel MOSFETs with 14ns Adaptive Dead Time • Wide Gate Drive Voltage: 4.5V Up to 8.8V With Best Efficiency at 7V to 8V • Wide Power System Train Input Voltage: 3V Up to 27V • Wide Input PWM Signals: 2.0V up to 13.2V Amplitude • Capable to Drive MOSFETs with ≥40 文件：2.06215 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS28225DRBR	文件：987.99 Kbytes Page：30 Pages	High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Driver 文件：987.99 Kbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS28225DRBR.A	文件：2.06215 Mbytes Page：43 Pages	TPS28225 High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Driver 1 Features • Drives Two N-Channel MOSFETs with 14ns Adaptive Dead Time • Wide Gate Drive Voltage: 4.5V Up to 8.8V With Best Efficiency at 7V to 8V • Wide Power System Train Input Voltage: 3V Up to 27V • Wide Input PWM Signals: 2.0V up to 13.2V Amplitude • Capable to Drive MOSFETs with ≥40 文件：2.06215 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS28225DRBRG4	文件：2.06215 Mbytes Page：43 Pages	TPS28225 High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Driver 1 Features • Drives Two N-Channel MOSFETs with 14ns Adaptive Dead Time • Wide Gate Drive Voltage: 4.5V Up to 8.8V With Best Efficiency at 7V to 8V • Wide Power System Train Input Voltage: 3V Up to 27V • Wide Input PWM Signals: 2.0V up to 13.2V Amplitude • Capable to Drive MOSFETs with ≥40 文件：2.06215 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS28225DRBRG4.A	文件：2.06215 Mbytes Page：43 Pages	TPS28225 High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Driver 1 Features • Drives Two N-Channel MOSFETs with 14ns Adaptive Dead Time • Wide Gate Drive Voltage: 4.5V Up to 8.8V With Best Efficiency at 7V to 8V • Wide Power System Train Input Voltage: 3V Up to 27V • Wide Input PWM Signals: 2.0V up to 13.2V Amplitude • Capable to Drive MOSFETs with ≥40 文件：2.06215 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS28225DRBR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
TPS28225DRBR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 8.8V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SON（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON

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