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TPS28225-Q1 | High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers 文件:777.26 Kbytes 页数:34 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
TPS28225-Q1 | TPS28225-Q1 High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers 文件:1.35473 Mbytes 页数:38 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
TPS28225-Q1 | 具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器 TPS28225-Q1 和 TPS28226-Q1 是高速驱动器,此驱动器用于驱动具有自适应死区时间控制的 N-通道互补驱动功率 MOSFET。 这些驱动器针对多种高电流单一相位和多相位 dc 到 dc 转换器中的应用进行了优化。 TPS28225-Q1 是一个提供高效、小尺寸、低电磁干扰 (EMI) 发射的解决方案。 通过 8.8V 栅极驱动电压,14ns 自适应死区时间控制,14ns 广播延迟和 2A 高源电流和 4A 灌电流驱动能力,可实现这一性能。 较低栅极驱动器的 0.4Ω 阻抗保持功率 MOSFET 的栅极低于它的阀值并确保在 dV/dt 相位结点转换中不会产生击穿电压。 由内部二 • 符合汽车应用要求\n• 器件温度 2 级:–40°C 至 105°C 的环境运行温度范围 \n• 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B\n• 驱动 2 个自适应死区时间为 14ns 的 N-通道 MOSFET\n• 宽电源系统输入电压:3V 到最高 27V \n• 能驱动每相位电流值 ≥ 40A 的 MOSFET\n• 支持传播延迟; | TI 德州仪器 | TI | |
TPS28225-Q1 High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers 文件:1.35473 Mbytes 页数:38 Pages | TI 德州仪器 | TI |
技术参数
- Power switch:
MOSFET
- Input VCC (Min) (V):
4.5
- Input VCC (Max) (V):
8
- Peak output current (A):
6
- Rise time (ns):
10
- Operating temperature range (C):
-40 to 105
- Undervoltage lockout (Typ):
3.5
- Rating:
Automotive
- Number of channels (#):
1
- Fall time (ns):
10
- Prop delay (ns):
14
- Iq (uA):
350
- Input threshold:
—
- Channel input logic:
—
- Negative voltage handling at HS pin (V):
0
- Features:
Synchronous Rectification
- Driver configuration:
Single
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI德州仪器 |
22+ |
24000 |
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