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TPS25924数据手册集成电路(IC)的电流调节/管理规格书PDF

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厂商型号

TPS25924

参数属性

TPS25924 封装/外壳为10-VFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的电流调节/管理;产品描述:IC EFUSE 12V BFET DVR 5A 10VSON

功能描述

具有用于外部阻断 FET 的驱动器的 4.5V 至 13.8V、28mΩ、1A 至 5A 电子保险丝

封装外壳

10-VFDFN 裸露焊盘

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:39:00

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TPS25924规格书详情

描述 Description

TPS25924x 系列电子熔丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。 该器件使用极少的外部组件并可提供多重保护模式。 它们能够有效地防止过载、短路、电压浪涌、过高浪涌电流和反向电流。电流限制级别可通过一个外部电阻设定。 内部钳位电路可将过电压限制在一个安全的固定最大值,无需使用外部组件。具有特殊电压斜坡要求的应用可以使用单个电容来设定 dV/dT,以确保达到适当的输出斜坡速率。 许多系统(例如 SSD)禁止将储存的电容能量通过 FET 二极管倒流到降压或短路输入总线。 BFET 引脚专用于这类系统。 外部 NFET 可与 TPS25924x 输出形成“背靠背 (B2B)”连接,而由 BFET 驱动的栅极可防止电流从负载流回电源(请参见)。

TPS25924x 系列电子熔丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。 该器件使用极少的外部组件并可提供多重保护模式。 它们能够有效地防止过载、短路、电压浪涌、过高浪涌电流和反向电流。电流限制级别可通过一个外部电阻设定。 内部钳位电路可将过电压限制在一个安全的固定最大值,无需使用外部组件。具有特殊电压斜坡要求的应用可以使用单个电容来设定 dV/dT,以确保达到适当的输出斜坡速率。 许多系统(例如 SSD)禁止将储存的电容能量通过 FET 二极管倒流到降压或短路输入总线。 BFET 引脚专用于这类系统。 外部 NFET 可与 TPS25924x 输出形成“背靠背 (B2B)”连接,而由 BFET 驱动的栅极可防止电流从负载流回电源(请参见)。

特性 Features

• VOPERATING = 4.5V 至 13.8V,VABSMAX = 20V
• 集成 28mΩ 导通金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 15V 固定过压钳位
• 1A 至 5A 可调电流 ILIMIT
• ±8% ILIMIT 精度(3.7A 时)
• 支持反向电流阻断
• 可编程 OUT(输出)转换率,欠压闭锁 (UVLO)
• 内置热关断
• UL2367 认证正在处理中
• 单点故障测试期间安全 (UL60950)
• 小型封装尺寸 - 10L (3mm x 3mm) 超薄小外形尺寸无引线封装 (VSON)

应用 Application

适配器供电器件
硬盘(HDD)和固态硬盘(SSD)
机顶盒
服务器/辅助(AUX)电源
风扇控制
PCI/PCIe卡

技术参数

  • 制造商编号

    :TPS25924

  • 生产厂家

    :TI

  • Ron (Typ) (mOhm)

    :28

  • Vin (Min) (V)

    :4.5

  • Vin (Max) (V)

    :13.8

  • Vabsmax_cont (V)

    :20

  • Current limit (Min) (A)

    :1

  • Current limit (Max) (A)

    :5

  • Overcurrent response

    :Current limiting

  • Fault response

    :Auto Retry

  • UL recognition

    :UL2367

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