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TS-1000	文件：570.63 Kbytes Page：2 Pages	1000WTrueSineWaveDC-ACPowerInverter	MEANWELLMean Well Enterprises Co., Ltd. 明纬电子明纬（广州）电子有限公司	MEANWELL
TSMF1000	文件：491.76 Kbytes Page：9 Pages	HighSpeedIREmittingDiodeinSMDPackage Description TSMF1000seriesarehighspeedinfraredemittingdiodesinGaAlAs/GaAs/GaAlAsdoubleheterotechnology(DH)moldedinclearSMDpackagewithdomelens. DHchiptechnologyrepresentsbestperformanceforspeed,radiantpower,forwardvoltageandlongtermreliability. Features •High	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSMF1000	文件：38.95 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIREmittingDiodeinøSMDPackage Description TSMF1000seriesarehighspeedinfraredemittingdiodesinGaAlAs/GaAs/GaAlAsdoubleheterotechnology(DH)moldedinclearSMDpackagewithdomelens. DHchiptechnologyrepresentsbestperformanceforspeed,radiantpower,forwardvoltageandlongtermreliability. Features •High	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSMF1000	文件：220.87 Kbytes Page：9 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,890nm,GaAlAsDoubleHetero Description TSMF1000seriesarehighspeedinfraredemittingdiodesinGaAlAs/GaAs/GaAlAsdoubleheterotechnology(DH)moldedinclearSMDpackagewithdomelens. DHchiptechnologyrepresentsbestperformanceforspeed,radiantpower,forwardvoltageandlongtermreliability. Features •High	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSMF1000	文件：183.87 Kbytes Page：9 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,890nm,GaAlAsDoubleHetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSMF1000	文件：220.76 Kbytes Page：9 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,890nm,GaAlAsDoubleHetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSMF1000	文件：173.03 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,RoHS-Compliant,890nm,SurfaceEmitterTechnology DESCRIPTION TSMF1000seriesareinfrared,890nmemittingdiodes basedonsurfaceemitterchiptechnologywithhighradiant powerandhighspeed,moldedinclear,untintedplastic packages(withlens)forsurfacemounting(SMD). FEATURES •Packagetype:surface-mount •Packageform:GW,R	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSML1000	文件：353.14 Kbytes Page：10 Pages	HighPowerInfraredEmittingDiode,950nm,GaAlAs/GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSML1000	文件：39.39 Kbytes Page：4 Pages	ExtentedPowerIREmittingDiodeinSMDPackage DESCRIPTION TSML1000isaninfrared,940nmemittingdiodeinGaAlAsmultiquantumwell(MQW)technologywithhighradiantpowerandhighspeedmoldedinaclear,untintedplasticpackage(withlens)forsurfacemounting(SMD). FEATURES •Packagetype:surfacemount •Packageform:GW,RGW,yo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSML1000	文件：241.74 Kbytes Page：9 Pages	HighPowerInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,940nm,GaAlAs/GaAs DESCRIPTION TSML1000isaninfrared,940nmemittingdiodeinGaAlAsmultiquantumwell(MQW)technologywithhighradiantpowerandhighspeedmoldedinaclear,untintedplasticpackage(withlens)forsurfacemounting(SMD). FEATURES •Packagetype:surfacemount •Packageform:GW,RGW,yo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
TPR1000
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
频率 - 跃迁：
1.09GHz
增益：
6dB
功率 - 最大值：
2900W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55KV
供应商器件封装：
55KV
描述：
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV

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