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DESD5V0V1BCSP	文件：396.33 Kbytes Page：5 Pages	LOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PESD5V0V1BA	文件：406.96 Kbytes Page：15 Pages	VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiodes 1.1Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesin smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BA	文件：259.93 Kbytes Page：12 Pages	VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmall SOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BA	文件：417.83 Kbytes Page：4 Pages	Microprocessorbasedequipment Features Bidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)17A(8/20μs) Applications Microprocessorbasedequipment PersonalDigit	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0V1BA	文件：614.59 Kbytes Page：5 Pages	BidirectionalESDprotectionofoneline Features Applications BidirectionalESDprotectionofoneline ESDprotectionupto30kV Verylowdiodecapacitance:Cd=11pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Max.peakpulsepower:PPP=45W IEC61000-4-5(surge);IPP=4.8A Lowclampingvoltage:VCL=12.5V AEC-Q101qualified Ultral	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0V1BA	文件：127.22 Kbytes Page：13 Pages	VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD5V0V1BA-Q	文件：262.45 Kbytes Page：12 Pages	VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmall SOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BA-TP	文件：1.27941 Mbytes Page：4 Pages	Bl-directionalTVSDiode Features Protectsonedataorpowerline Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: ~IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV' Contactdischarge:+30kV —IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) RoHSCompliant	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PESD5V0V1BB	文件：614.59 Kbytes Page：5 Pages	BidirectionalESDprotectionofoneline Features Applications BidirectionalESDprotectionofoneline ESDprotectionupto30kV Verylowdiodecapacitance:Cd=11pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Max.peakpulsepower:PPP=45W IEC61000-4-5(surge);IPP=4.8A Lowclampingvoltage:VCL=12.5V AEC-Q101qualified Ultral	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0V1BB	文件：419.08 Kbytes Page：4 Pages	90Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) Features Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent Applications Microprocessorbasedequipment PersonalDigitalAssistants(PDA’s) Notebooks,Desktops,andServers PortableInstrumentation PagersPeripherals 90Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) B	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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