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TPP100R500A

超结功率 MOSFET

紫光国微

技术参数

  • BVdss(V):

    1000

  • ID(A) Tc=25℃:

    12

  • Vth(V)_min:

    2.5

  • Vth(V)_max:

    4.5

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_typ:

    0.4

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_max:

    0.5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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24+
NA
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更多TPP100供应商 更新时间2025-10-4 14:15:00