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TPN3R704PL	文件：481.06 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 8.1 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 20.2 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 文件：481.06 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPN3R704PL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V) Application Scope：High efficiency DC/DC converters / Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅨ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 92 A \nPower Dissipation PD 86 W \nDrain-Source voltage VDSS 40 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TPH3R704PC	文件：463.3 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 14 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 28 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) 文件：463.3 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPH3R704PL	文件：493.25 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 8.1 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 20.2 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V 文件：493.25 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
40
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
92
PD(W)：
86
Ciss(pF)：
1910
Qg(nC)：
27
=4.5V：
0.006
=10V：
0.0037
Number of pins：
8
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
TSON Advance
Generation：
U-MOSⅨ-H
Type：
High-speed switching
Width×Length×Height(mm)：
3.3 x 3.3 x 0.85
Package Size(mm^2)：
10.89
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

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