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TPN11003NL	文件：236.01 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators • DC-DC Converters Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 2.0 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 12.6 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) (5) Enhancement 文件：236.01 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPN11003NL	文件：1.37935 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology to minimize on-state resistance 文件：1.37935 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TPN11003NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V) Application Scope：High efficiency DC/DC converters / Notebook PCs / Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 31 A \nPower Dissipation PD 19 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
11003	文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages	TEST JACKS 文件：401.4 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
11003	文件：580.63 Kbytes Page：1 Pages	POWER TOOLS & ACCESSORIES 文件：580.63 Kbytes 页数：1 Pages	TITAN-US	TITAN-US
11003F	文件：105.12 Kbytes Page：1 Pages	PVC and Nylon LED Spacers 文件：105.12 Kbytes 页数：1 Pages	HEYCO	HEYCO

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
30
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
31
PD(W)：
19
Ciss(pF)：
510
Qg(nC)：
7.5
=4.5V：
0.016
=10V：
0.011
Number of pins：
8
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
TSON Advance
Generation：
U-MOSⅧ-H
Type：
High-speed switching
Width×Length×Height(mm)：
3.3 x 3.3 x 0.85
Package Size(mm^2)：
10.89
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

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