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DMN6068SE

丝印:TPMB04NY3;Package:SOT223;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package.

文件:1.93542 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

详细参数

  • 型号:

    TPMB04NY3

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 功能描述:

    MOSFET N CH DIOD 60V 4.1A SOT223

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, DIOD, 60V, 4.1A, SOT223

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, DIOD, 60V, 4.1A, SOT223, Transistor

  • Polarity:

    N Channel, Continuous

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更多TPMB04NY3供应商 更新时间2025-9-13 10:22:00