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TPM6061PK3-1	文件：2.72112 Mbytes Page：5 Pages	Marking：TPM6061PK3；Package：TO-252-3L；P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES RDS(ON)14mQ@VGs=-10V(Typ) RDS(ON)16mQ@VGs=-4.5V(Typ) SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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TPM6061PK3-1

文件：2.72112 Mbytes

Page：5 Pages

Marking：TPM6061PK3；Package：TO-252-3L；P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES RDS(ON)14mQ@VGs=-10V(Typ) RDS(ON)16mQ@VGs=-4.5V(Typ) SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability

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台舟电子台舟电子股份有限公司

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