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TPM1919-60

MICROWAVEPOWERGAASFET

FEATURES: ■HIGHPOWER P1dB=48.0dBmat1.9GHz ■HIGHGAIN G1dB=13dBat1.9GHz ■PARTIALLYMATCHEDTYPE ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多TPM1919-60(2)供应商 更新时间2025-5-10 16:02:00