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TPM1919-60	文件：120.76 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERGAASFET FEATURES: ■HIGHPOWER P1dB=48.0dBmat1.9GHz ■HIGHGAIN G1dB=13dBat1.9GHz ■PARTIALLYMATCHEDTYPE ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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文件：120.76 Kbytes

Page：4 Pages

MICROWAVEPOWERGAASFET

FEATURES: ■HIGHPOWER P1dB=48.0dBmat1.9GHz ■HIGHGAIN G1dB=13dBat1.9GHz ■PARTIALLYMATCHEDTYPE ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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