TPHR9003NL1中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TPHR9003NL1
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
丝印标识	TPHR9003NL1
封装外壳	SOP
文件大小	485.37 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
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数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-1 10:06:00
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Applications

• High-Efficiency DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

特性 Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 74 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.77 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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