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MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators •DC-DCConverters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.5nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=10.2mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (5)Enhancement | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS??H) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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