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TPH4R008NH	文件：239.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) 文件：239.78 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPH4R008NH1	文件：503.75 Kbytes Page：9 Pages	丝印：TPH4R008NH1；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 18 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 77 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) 文件：503.75 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPH4R008NH-TP	文件：5.91684 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features + Advanced trench cell design + Low Thermal Resistance * Low Gate Charge 文件：5.91684 Mbytes 页数：6 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
TPH4R008NH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V) Application Scope：Motor drivers / Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 100 A \nPower Dissipation PD 78 W \nDrain-Source voltage VDSS 80 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TPH4R008NH1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 60V Application ScopeDC-DC Converters / Switching Voltage Regulators / Motor Drivers\nPolarityN-ch\nGenerationU-MOSⅧ-H\nInternal ConnectionSingle\nRoHS Compatible Product(s) (#)Available\n	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
80
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
100
PD(W)：
78
Ciss(pF)：
4100
Qg(nC)：
59
=10V：
0.004
Number of pins：
8
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
SOP Advance
Generation：
U-MOSⅧ-H
Type：
High-speed switching
Width×Length×Height(mm)：
5.0 x 6.0 x 0.95
Package Size(mm^2)：
30.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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