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TPH2R306NH	文件：395.09 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications •DC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.9mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (5)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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TPH2R306NH

文件：395.09 Kbytes

Page：10 Pages

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •DC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.9mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (5)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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更多TPH2R306HN供应商更新时间2024-6-17 11:00:00

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