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TPD80R900M中文资料Multi-EPI超结功率MOSFET数据手册规格书
技术参数
- 制造商编号
:TPD80R900M
- BVdss(V)
:800
- ID(A) Tc=25℃
:6
- Vth(V)_min
:2.5
- Vth(V)_max
:4.5
- Rdson(Ω)Vgs=10V_typ
:0.8
- Rdson(Ω)Vgs=10V_max
:0.9
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
21+ |
WSON8 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
TI |
24+ |
WSON8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
8WSON |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
WSON-8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
TI |
18+ |
8WSON |
85680 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
WSON8 |
7500 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
无锡紫光微 |
23+ |
TO-252 |
22820 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
WSON8 |
36880 |
只做原装,QQ询价有询必回 |
询价 | ||
TI |
16+ |
WSON |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
无锡紫光微 |
2447 |
TO-252 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 |