首页>TPD80R900M>规格书详情

TPD80R900M中文资料Multi-EPI超结功率MOSFET数据手册规格书

PDF无图
厂商型号

TPD80R900M

功能描述

Multi-EPI超结功率MOSFET

制造商

Wuxi Unigroup Microelectronics Company

中文名称

紫光国微 紫光国芯微电子股份有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-24 15:28:00

人工找货

TPD80R900M价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :TPD80R900M

  • BVdss(V)

    :800

  • ID(A) Tc=25℃

    :6

  • Vth(V)_min

    :2.5

  • Vth(V)_max

    :4.5

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_typ

    :0.8

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_max

    :0.9

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
21+
WSON8
10000
只做原装,质量保证
询价
TI
24+
WSON8
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
TI/德州仪器
22+
8WSON
18000
原装正品
询价
TI/德州仪器
24+
WSON-8
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
TI
18+
8WSON
85680
保证进口原装可开17%增值税发票
询价
TI/德州仪器
22+
WSON8
7500
原装正品,支持实单!
询价
无锡紫光微
23+
TO-252
22820
原装正品,支持实单
询价
TI/德州仪器
23+
WSON8
36880
只做原装,QQ询价有询必回
询价
TI
16+
WSON
10000
原装正品
询价
无锡紫光微
2447
TO-252
105000
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
询价